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            等離子刻蝕機

            簡(jiǎn)要描述:PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統的*功能。 腔室材料是硬質(zhì)陽(yáng)極氧化鋁, 有幾種不同的電極設計,包括用于反應離子刻蝕(RIE)和平面處理的水冷平板電極,用于表面清洗或處理的交替多層托盤(pán)電極,用于小化離子損傷的下游電極,和用于普通的圓柱形籠式電極。

            • 產(chǎn)品型號:PlasmaStar 200/200 RIE
            • 廠(chǎng)商性質(zhì):代理商
            • 更新時(shí)間:2024-05-16
            • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:3923

            詳細介紹

            型號: 反應離子刻蝕機PlasmaStar 200/200RIE

            產(chǎn)地: 美國

            品牌: Axic

            環(huán)球供應,本地服務(wù)!MYCRO專(zhuān)業(yè)為您提供實(shí)驗室RIE反應離子刻蝕機設備,*的技術(shù)服務(wù)及售后,MYCRO值得您的的信賴(lài)!

            技術(shù)規格:

            型號

            PlasmaStar  100

            PlasmaStar

            100RIE

            PlasmaStar 200

            PlasmaStar 200RIE

            艙體尺寸

            直徑254×深度356mm

            直徑200×深度280mm

            305×高305×深406mm

            305 ×高200×深406mm

            艙體材質(zhì)

            標配為陽(yáng)極氧化鋁艙體

            常用氣體

            空氣,氧氣,氫氣,氬氣,氮氣,CF4,SF6等和其他混合氣體

            氣路控制

            標配2MFC,PlasmaStar  100多可選配4路,

            標配2MFC,PlasmaStar  200多可選配5路;

            控制系統

            電阻觸摸屏操作界面

            程序控制

            PC觸屏控制,可編程序,無(wú)線(xiàn)存儲數據

            射頻頻率

            13.56 MHz

            射頻功率

            0~600W瓦之間距連續可調,自動(dòng)匹配

            0~1000W瓦之間距連續可調,自動(dòng)匹配

            電極設計

            標準圓柱形籠式電極;

            標準圓柱形籠式電極;

            可選交替多層托盤(pán)電極;

            可選RIE平面處理水冷平板電極

            設備尺寸

             800 x 850 x 525mm;

            1033 x 850 x 635mm;

             

            產(chǎn)品咨詢(xún)

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